Перед тем как приступить к сборке радиоэлектронных устройств на транзисторах, таких как радиоприемники, усилители низкой частоты или других схем, настоятельно рекомендуется проверить работоспособность транзисторов. Эта предосторожность обусловлена существенным разбросом характеристик транзисторов, что является следствием сложности производственного процесса полупроводниковых приборов.

В радиолюбительской практике, как правило, достаточно определить два ключевых параметра транзистора: ток утечки коллекторного перехода (или просто ток утечки коллектора), обозначаемый как Iкбо, и коэффициент статической передачи тока в схеме с общим эмиттером, обозначаемый h21э. Схемы для измерения этих параметров для транзисторов типа p-n-p представлены на рисунке 20.

Для транзисторов структуры n-p-n полярность подключения источника питания и измерительного прибора следует изменить на противоположную.

Ток утечки коллектора Iкбо представляет собой неконтролируемый ток, протекающий в цепи коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и отключенном эмиттере (рис. 20, а). Чем меньше значение Iкбо, тем выше качество коллекторного перехода и стабильнее работа транзистора.

Коэффициент статической передачи тока h21э отражает усилительные характеристики транзистора. Естественно, чем выше значение h21э, тем больше усиление, которое может обеспечить транзистор. Этот параметр измеряется по схеме, представленной на рис. 20, б, как отношение тока коллектора к вызвавшему его току базы: h21э = Iк / Iб. При этом не учитывается ток утечки коллектора, присутствующий в его цепи даже при отсутствии смещения на базе, а также начальный ток утечки коллектор-эмиттер, который также является частью коллекторного тока.

Для более точного определения коэффициента h21э рекомендуется измерять токи коллектора Iк1 и Iк2, соответствующие двум разным значениям тока базы Iб1 и Iб2 (Iб2 > Iб1). В таком случае статический коэффициент передачи тока h21э рассчитывается по формуле.